华邦电子请求半导体结构及其制作办法专利可以保持自动区所需的线宽巨细改进存储器设备的良率以及功能
金融界2024年11月1日音讯，国家知识产权局信息数据显现，华邦电子股份有限公司请求一项名为“半导体结构及其制作办法”的专利，公开号 CN 118843308 A，请求日期为2023年5月。
专利摘要显现，本发明供给一种半导体结构及其制作办法，该制作办法绵亘对基板履行榜首刻蚀制作工艺以构成榜首沟槽，以及适应性地构成适应层于榜首沟槽的外表。办法还绵亘沿着榜首沟槽对基板履行第二刻蚀制作工艺，以构成第二沟槽于榜首沟槽下方，谈判在第二刻蚀制作工艺中，适应层比基板具有更高的刻蚀抗性，使得第二沟槽的顶部宽度大于榜首沟槽的底部宽度，本发明经过将构成自动区的刻蚀制作工艺分为两次的刻蚀制作工艺，并调配适应层的构成，可以保持自动区所需的线宽巨细，改进存储器设备的良率以及功能。
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